بازده نسبتا پایین سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتمی عمدتا ناشی از وجود باز ترکیب در فصل های مشترک است. این فرایند را میتوان با وارد کردن نیم رساناهایی با گاف بزرگ مثل ZnS تا حد زیادی کاهش داد که این نیم رسانا ها به عنوان لایه مسدود کننده بین نقاط کوانتمی و لایه انتقال دهنده حفره عمل میکند. در این پژوهش به منظور افزایش بازده سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتمی PbS از لایه مسدود کننده ZnS استفاده شده و اثر ضخامت این لایه روی خواص فوتوولتاِیی مورد بررسی قرار گرفته است . تغییر ضخامت این لایه با تفیر دادن تعداد دور های لایه نشانی حاصل میگردد.
