جذب فوتونها در ناحیه فروسرخ که شامل 40 درصد انرژی خورشیدی می باشد، یک روش موثر در بهینه سازی عملکرد فوتوولتائیک سلول در سلولهای )PbS( از سولفید سرب )n( های خورشیدی است. در این کار، با اعمال تعداد مختلفی از چرخه های ساخت نقاط کوانتومی به بررسی بهینه سازی بازده تبدیل توان با ایجاد جذب نور در ناحیه )ZnO( خورشیدی ساخته شده ازنانولوله های از جنس اکسید روی افزایش می یابد که این باعث افزایش میزان جریان فوتونی می PbS مرئی و فروسرخ پرداخته شده است.