مشخصات پژوهش

عنوان	ارزیابی و بهبود طول عمر وریستورهای درشت دانه نوین بر پایه اکسید قلع در کاربرد ولتاژ پایین
نوع پژوهش	طرح پژوهشی خاتمه یافته
کلیدواژه‌ها	وریستور، اکسید قلع، ولتاژ پایین، ولتاژ بالا، اضمحلالDC، اضمحلال پالسی، اکسید روی، نانو مواد، سد شاتکی، درشت دانه، ریزدانه
چکیده	وریستورها، قطعه هایی هوشمند با مقاومت غیراهمی برپایه مواد اکسیدی هستند که منحنی ولتاژ-جریان آنها غیرخطی بوده و از اهمیت خاصی در صنایع توزیع و انتقال برق، الکترونیک و مخابرات برخوردار می باشند. عامل ایجاد رفتار غیراهمی وریستورها سدهای شاتکی دوگانه در مرز دانه ها می باشد. این قطعه ها می توانند ولتاژ یا جریان الکتریکی اضافی ناشی از صاعقه و نوسان های جریان الکتریکی وارد بر سیستم را شناسایی و مدار یا دستگاه مورد استفاده را حفاظت نمایند. در حال حاضر، وریستورهای برپایه اکسید روی به صورت تجاری تولید می شوند و پدیده اضمحلال در این وریستورها که به صورت افت خواص الکتریکی از قبیل ولتاژ شکست، ضریب غیرخطی و افزایش جریان نشتی در برابر جریانهای DC و جریانهای پالسی در نظر گرفته می شود و عامل تعیین کننده در عمر یک وریستور است، موضوع پژوهش امروزه می باشد. در دو دهه اخیر وریستورهای اکسید قلع ولتاژ بالا به عنوان نسل جدید وریستورها معرفی شدند و در چند سال اخیر وریستورهای نوین درشت دانه برپایه اکسید قلع ولتاژ پایین معرفی شدند. در این وریستورها اکسید بیسموت عامل رشد دانه می باشند. در ابتدای این پژوهش اضمحلال DC و اضمحلال پالسی وریستورهای اکسید قلع ساخته شده از نانو مواد و تف جوشی شده در دماهای 1250 تا ℃ 1350 به طور جامع از لحاظ ریزساختار و خواص الکتریکی و خواص فیزیکی قبل و بعد از اضمحلال مورد بررسی قرار گرفته اند نتایج نشان می دهد که وریستورهای تف-جوشی شده در دمای ℃1300 بهترین پایداری در برابر اضمحلال DC و وریستورهای تف جوشی شده در دمای ℃ 1350 بهترین پایداری در برابر اضمحلال پالسی را از خود نشان می دهند در صورتی که وریستورهای تف جوشی شده در دمای ℃1250 اضمحلال DC و پالسی خوبی ندارند. در ادامه ی این پژوهش اضمحلال DC وریستورهای اکسید قلع درشت دانه ولتاژ پایین با افزودن اکسید بیسموت تف جوشی شده در دمای ℃ 1390مورد بررسی واقع شده و با اضمحلال DC وریستورهای اکسید روی ولتاژ پایین تف جوشی شده در دمای ℃ 1250 مقایسه شده اند و نشان از پایداری بسیار خوب وریستورهای اکسید قلع در مقایسه با وریستورهای اکسید روی ولتاژ پایین دارد زیرا وریستورهای اکسید قلع در دمای ℃ 175 دچار اضمحلال می شوند در حالی که وریستورهای اکسید روی در دمای ℃ 75 از لحاظ الکتریکی مضمحل می گردند.
پژوهشگران	محمدمالکی شهرکی (نفر اول)